近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于xtacking架构的64层256gb tlc 3d nand闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3d nand闪存芯片的量产，将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。
大幅缩短与国际先进水平差距
紫光集团联席总裁刁石京表示，长江存储进入到这个领域之前，国内一直没有大规模存储芯片的生产，未来，随着云计算、大数据的发展，人类对数据存储要求是越来越高，3d nand是高端芯片一个重要领域，它的量产标志着中国离国际先进水平又大大跨进一步。
长江存储由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司在2016年7月共同出资成立。按照规划，长江存储的主要产品为3d nand以及dram等存储器芯片。2018年，长江存储实现了32层3d nand的小批量量产。而此次64层3d nand则是中国企业首次在存储器主流产品上实现批量化生产。
在nand闪存从平面向三维演进的过程中，64层被普遍认为是首个在性价比上超过2d nand的产品，因此曾是国际一线厂商生产的主力产品之一。长江存储64层3d nand的量产，将中国企业与国际先进水平的差距拉近到了一代至两代。
据悉，长江存储将推出集成64层3d nand的固态硬盘、ufs等产品，用于数据中心、企业级服务器、个人电脑和移动设备之中，为用户提供完整的存储jdb电子娱乐app的解决方案及服务。长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“随着5g、人工智能和超大规模数据中心时代的到来，nand闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3d nand产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。”
明年有望量产128层
在国际范围内，存储芯片市场的竞争一向十分激烈。尽管当前存储器市场遇冷，价格下跌，在一定程度上抑制了厂商们的扩产动作，但是在新技术的推进上，国际一线厂商却毫不缩手。
今年以来，三星电子已宣布量产96层3d nand 闪存，并将陆续投资70亿美元在西安设立第二座nand闪存制造工厂。项目建成后，可以生产nand闪存芯片6.5万片/月。预计2019年年底厂房建设完工，设备搬入并开始量产。
sk海力士也宣布将投资大约1.22万亿韩元用于加强与jdb电子娱乐app的合作伙伴公司和半导体生态系统的双赢关系。此前，sk海力士已宣布将韩国的龙仁、利川和清州作为半导体3轴。龙仁将作为dram/下一代存储器生产基地和半导体双赢生态系统基地，利川将作为总部、研发中心主厂区和dram生产基地，清洲则将作为nand flash生产基地，以追求公司的中长期增长。
对此，有专家分析指出，之所以几家国际大厂如此重视nand闪存，是因为dram产业在经历了汰弱留强后全球仅剩下三星、美光与sk海力士等三大巨擘，三星更是占据全球dram近五成市场，相比而言nand产业仍处于战国群雄各自割据的阶段，全球厂商大致可以划分为三星、sk海力士、东芝与西部数据、美光与英特尔等四大阵营，并没有出现一家大厂一骑绝尘之势。这也给了中国企业发展的机会。
长江存储64层3d nand的量产有望使中国存储芯片打破美日韩大厂的垄断。业界预测，长江存储最快明年将跳过96层直接进入128层3d nand闪存的生产，这将有望接近甚至追赶上国际先进水平。
量产时点或是良机
随着长江存储实现量产，业界的关注焦点开始转向企业能够盈利，或者说能否应对国际厂商的竞争压力，毕竟目前处于存储器市场的淡季，存储芯片价格位于低位。但是具体分析可以发现，长江存储选择目前这个时机实现规模量产也并非完全不利。
根据集邦咨询发布数据，第二季度nand闪存合约价跌幅相当显著，第三季度仍将维持跌势。但是，从中长期来看，多数业界人士却看好未来存储市场前景。美光科技高级副总裁兼移动产品事业部总经理拉杰·塔鲁里在接受记者采访时看好5g对智能手机的拉动以及自动驾驶、vr/ar对存储器的长期需求，预测未来几年无论是dram还是nand，在手机中的容量都将进一步增长，其中dram平均增长率将达到15%~17%，nand将达到25%~30%。集邦咨询则预测，随着超大规模数据中心的成长，将带动存储器需求增加，dram与nand的价格有望在2020年止跌反弹。甚至有乐观者估计，第四季度nand闪存价格将止跌回升。
国际存储器大厂如三星往往选择在下行周期时加大投资，业界称之为逆周期投资。长江存储选择在这个时机量产，量产爬升需要一段时间，当产量达到一定规模时，市场有可能正好转暧，选择这个时间规模量产，并非不利。中国是全球最主要的nand闪存市场之一，中国不应有所退缩，真正存储芯片市场决胜的时间往往在下一个周期展开。
xtacking2.0将被开发
技术创新才是决定企业成败的关键因素。长江存储量产64层3d nand采用了自主研发的xtacking架构。xtacking是长江存储在去年fms(闪存技术峰会)首次公开的3d nand架构，荣获当年“best of show”奖项。其独特之处在于，可在一片晶圆上独立加工负责数据i/o及记忆单元操作的外围电路，这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，让nand获取更高的i/o接口速度及更多的操作功能。
长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储jdb电子娱乐app的解决方案市场的快速发展。”
长江存储还宣布正在开发下一代xtacking2.0技术，xtacking 2.0将进一步提升nand的吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化nand全新商业模式等。未来搭载xtacking2.0技术的长江存储第三代产品将被广泛应用于数据中心、企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域。
作者：陈炳欣
来源：中国电子报、电子信息产业网
原文链接：
